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单片机的系统扩展数据读写实验介绍

发布时间:2020-07-21 18:47:18 阅读: 来源:聚乙烯厂家

一、实验目的 1、学习片外存贮器扩展方法。 2、学习数据存贮器不同的读写方法。 3、学习片外程序存贮器的读方法。二、实验内容1.实验原理图:

本文引用地址:、实验内容 (1)使用一片2764EPROM,作为片外扩展的程序存贮器,对其进行读。 (2)使用一片6264RAM,作为片外扩展的数据存贮器,对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。3、实验说明 (1)在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时,由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器,因此DVCC系统必须处于仿真2状态,即“H.....”态,用MEM键即可读出。 (2)在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时,由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器,因此DVCC系统处于仿真1态(“P.....”态)或仿真2态(“H.....”态),用ODRW键即可读写。 (3)读写数据的选用。 本实验采用的是55H(0101,0101)与AAH(1010,1010),一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等,在实验调试用户电路时非常有效。 (4)在仿真1态即“P.....”状态下,编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写,若L1灯闪动说明RAM读写正常。三、程序程序清单: ORG 0C80H MOV DPTR,#8000H MOV R6,#0FH MOV A,#55HRAM1: MOV R7,#0FFHRAM2: MOVX @DPTR,A CLR P1.0 INC DPTR DJNZ R7,RAM2 DJNZ R6,RAM1 MOV DPTR,#8000H MOV R6,#0FHRAM3: MOV R7,#0FFHRAM4: MOVX A,@DPTR CJNE A,#55H,RAM6 SETB P1.0 INC DPTR DJNZ R7,RAM4 DJNZ R6,RAM3RAM5: CLR P1.0 CALL DELAY SETB P1.0 CALL DELAY SJMP RAM5DELAY: MOV R5,#0FFHDELAY1: MOV R4,#0FFH DJNZ R4,$ DJNZ R5,DELAY1 RETRAM6: SETB P1.0 SJMP RAM6 END四、实验步骤 1、片外扩展程序存贮器的读。 (1)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS2区XD0—XD7,同样用排线将A0—A7连到BUS1区XA0—XA7,A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。 (2)PGM插孔连到+5V插孔。 (3)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。 (4)OE插孔连到BUS3区XPSEN插孔。 (5)在DVCC系统处于“P”状态下,按F1键进入仿真2态(“H.....”状态)。 (6)输入四位程序存贮器地址8000后按MEM键读出2764中的内容。 2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令) (1)取出RAM/EPROM区中的实验监控,再插上数据存贮器6264。 (2)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS1区XD0—XD7,A0—A7连到BUS1区XA0—XA7,A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。 (3)WE插孔与BUS3区XWR相连。 (4)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。 (5)OE插孔连到BUS3区XRD插孔。 (6)CS2插孔与+5V插孔相连。 (7)在DVCC系统处于“P”状态下,按F2键进入仿真1态(即“P.....”)或按F1键进入仿真1态(即“P.....”)。 (8)输入四位地址8000后按ODRW键可读写6264中的内容。 3、片外数据存贮器的读写(用程序)步骤同上①—⑥。 (7)按框图编制程序,在上位机上进行编译,链接形成Hex(或ABS)最终目标文件,然后传送到DVCC实验系统仿真RAM区中。(8)在“P”状态下,按F2键,进入仿真1态(“P.....”),从起始地址0C80H开始连续运行程序。对6264进行读写。若L1灯闪动,表示6264 RAM读写正常。

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